投资1500亿元 长鑫存储 10nm DDR4 DRAM正式投产

今天，在安徽合肥开幕的201 9世界制造业大会上，合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产与国际主流DRAM同步的第一代10nm级8Gb DDR4内存。一期设计产能12万片晶圆每月。

根据合肥长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。

对于此前外界最为关心的良率问题，合肥长鑫没有公布具体的数据，但是宣称其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

DRAM即随机动态存储器，是芯片产业中产值比最大的单一品类，我国去年进口的3000多亿美元的芯片中，DRAM内存芯片占比最高，占到了20%以上。